基本情報
内容詳細
トランジスタ技術全般、すなわち、トランジスタ・FET・ダイオードの三大基本デバイスの動作原理や基本回路から、電源、低周波回路、高周波回路、アナログ、ディジタルの実用回路までを網羅し、さらに特殊なタイプ、あるいは新技術による半導体素子についても解説。
目次 : 半導体によって実現した電子部品/ ダイオードの特性と整流作用/ 小信号のダイオード/ 定電圧ダイオード/ 可変容量ダイオード/ 発光ダイオード/ 受光素子/ トランジスタ入門/ トランジスタによる増幅/ バイアス回路の設/ 低周波増幅回路/ 電力増幅回路/ 高周波増幅回路/ 発振回路/ スイッチング回路/ 電界効果トランジスタ/ 化合物半導体などの先端技術〕
【著者紹介】
時田元昭 : 1933年長野県生まれ。1957年信州大学工学部通信工学科卒業。日本電気(株)入社。電子管工業部半導体開発部に配属され、トランジスタ回路技術の研究に従事。その後、電子デバイス販売事業部販売部、半導体事業部信頼性・品質管理部、ソリューション技術本部等に勤務。1987年ネオローグ電子(株)取締役。1990年〜1995年NECドキュメンテクス(株)ドキュメント部長代理。1996年〜2000年工学院大学専門学校電気工学科講師。著述業(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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人物・団体紹介
時田元昭
1933年長野県生まれ。1957年信州大学工学部通信工学科卒業。日本電気(株)入社。電子管工業部半導体開発部に配属され、トランジスタ回路技術の研究に従事。その後、電子デバイス販売事業部販売部、半導体事業部信頼性・品質管理部、ソリューション技術本部等に勤務。1987年ネオローグ電子(株)取締役。199
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