半導体デバイス 基礎理論とプロセス技術

最近の半導体デバイス物理と作製技術を網羅した入門書。旧版の内容の５０％以上を改訂、更新。デバイス物理の基礎的な部分をよりわかりやすくし、さらに最近のデバイスを理解するうえで必要な新知識を追加。

【著者紹介】
Ｓ・Ｍ・ジィー : 現在、台湾Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｈｉａｏ　Ｔｕｎｇ　ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙのＵＭＣ　Ｃｈａｉｒ　ＰｒｏｆｅｓｓｏｒでありＮａｔｉｏｎａｌ　Ｎａｎｏ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Ｓｚｅ教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもＰＨＹＳＩＣＳ　ＯＦ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ　ＤＥＶＩＣＥＳは古典的な参考書とされている。１９９１年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりＩＥＥＥ　Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ賞を受賞している。ＰｈＤは、固体電子工学に関して１９６３年スタンフォード大学より受けている

南日康夫 : １９５６年東京大学工学部応用物理学科卒業。１９６０年スタンフォード大学研究員。１９６６年工学博士。１９７９年筑波大学物質工学系教授。１９９７年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構（科学技術コーディネータ）

川辺光央 : １９６１年大阪大学工学部電気工学科卒業。１９６７年大阪大学基礎工学部助手。１９６９年工学博士。１９７５年グラスゴー大学研究員。１９７８年筑波大学物質工学系助教授。１９８４年筑波大学物質工学系教授。２００２年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構（特別研究員）

長谷川文夫 : １９６３年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６５年日本電気株式会社中央研究所入社。１９７３年工学博士。シェフイールド大学研究員。１９８１年筑波大学物質工学系助教授。１９８８年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）