表面分析: Sims 二次イオン質量分析法の基礎と応用

目次 : 表面におけるＳＩＭＳ（新規解説文）/ ＳＩＭＳの装置/ スパッター深さ方向分析の基本概念/ スパッタリングを用いた定量分析法：二次イオンおよびスパッター中性粒子質量分析法（抄訳）/ ダイナミックＳＩＭＳとそのマイクロエレクトロニクスへの応用/ スタティックＳＩＭＳ（無機材料への応用/ 有機材料の表面分析）

【著者紹介】
デビッド・ブリッグス : ＩＣＩ国際材料センター。１９７０年にダーハム大学を卒業後、ＩＣＩに入社し、ダーハム大学と共同でＸＰＳを応用して不均一触媒の研究を行う。この研究により１９７３年にＰｈＤの学位を得る。ランコーンのＩＣＩの総合研究所で英国で初めて表面工業分析の研究所をつくる。１９７５年に、高分子表面の改質と接着性をＸＰＳを用いて研究する長期研究プロジェクトを発足させて、これが機縁で１９７７年にはＩＣＩのプラスチックス事業部に移り、高分子フィルムの表面特性を研究。１９８０年には有機物表面、とくにポリマー表面分子の分析のためスタティックＳＩＭＳを開発する計画を始めた。この計画の成功によりモレキュラーＳＩＭＳによるイメージングの研究が始まり、ＴＯＦ型のイメージングＳＩＭＳの装置開発に密接に係わる。現在、ＩＣＩウィルトン材料研究センターで表面分析の研究グループの指導者。１９７９年には国際誌“Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ａｎａｌｙｓｉｓ”を創刊し、現在編集委員長を務める。１９８６年、シェフィールド大学の材料学部の客員教授に任命

マーティン・Ｐ・シーア : 国立物理学研究所。ブリストル大学で固体物理の分野で研究生活を始めた。この研究には金属表面での低速電子の弾性及び非弾性散乱が含まれていた。その後ワーウィック大学に移り、研究を金属結晶の低指数表面及びモデル表面での低速電子線回折へと発展させた。１９６９年にはテディントンの国立物理学研究所へ移った。ここでは金属中の粒界への不純物の偏析の基礎を解明するためオージェ電子分光法を開発することになった。また、電子部品のハンダ付に関する研究も同時に行われ、オージェ電子分光（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）が用いられた。１９７９年にはＡＥＸとＸＰＳについて基礎的な標準化の研究プロジェクトＡＥＳとＸＰＳにつ９年には、テディントンでビェンナーレ会議「表面定量分析」を発足させた。また１９８４年にはＮＩＳＴのパウエル博士と共に表面化学分析のＶＡＭＡＳ計画を発足させた

志水隆一 : １９３７年大阪市生まれ、大阪大学工学部卒業、大阪大学大学院工学研究科博士課程修了。現在、大阪大学名誉教授、大阪工業大学情報科学部教授、工学博士。専門は表面・界面物性、マイクロアナリシス

二瓶好正 : １９４０年東京生まれ、東京大学工学部卒業、東京大学工学系大学院博士課程修了。現在、東京大学名誉教授、東京理科大学理工学部教授、工学博士。専門は物質情報工学、マイクロビームアナリシス、環境計測化学（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）