Sic / Ganパワー半導体の実装と信頼性評価技術

SiCやGaNなどの次世代パワーデバイスの実用化が進むためには、これらワイドギャップ半導体の信頼性が確立されることが重要で、そのためには、高温度の熱衝撃に耐えられる信頼性の高い鉛フリー・ダイアタッチ技術や、高周波の伝送損失を抑えられる新しい配線技術が必要とされている。本書は、本技術を実装面で確立するためのこれらの技術および信頼性の評価手法などを解説したもの。また、その際に必要となる新たな実装材料やパッケージング構造の設計についてもまとめている。

[著者紹介]
菅沼/克昭
1977年東北大学工学部卒業、1979年東北大学工学系大学院原子核工学専攻修士修了、1982年同博士課程修了、同年、大阪大学産業科学研究所助手、1986年防衛大助教授、1996年阪大産研教授。専門は実装工学、材料工学(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)

【著者紹介】
菅沼克昭 : １９７７年東北大学工学部卒業、１９７９年東北大学工学系大学院原子核工学専攻修士修了、１９８２年同博士課程修了、同年、大阪大学産業科学研究所助手、１９８６年防衛大助教授、１９９６年阪大産研教授。専門は実装工学、材料工学（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）