ウェスト & ハリス Cmos Vlsi回路設計 基礎編

基礎的な原理の説明から、原理の応用、先端の設計事例にいたるまで、体系的に解説されたこの分野のバイブル。第４版ではナノメータ時代の設計技術に関する内容が充実。素子の微細化がＬＳＩ設計に与える課題として、素子の性能ばらつき、消費電力の増大、信号線および電源線のノイズ、クロック信号に関する設計を取り上げ、また６５ナノメータの製造プロセスを使用した場合の例題を数多く示し、あらゆる読者のニーズに応えた内容。

目次 : 第１章　はじめに/ 第２章　ＭＯＳトランジスタの理論/ 第３章　ＣＭＯＳプロセス技術/ 第４章　遅延/ 第５章　消費電力/ 第６章　配線/ 第７章　ロバスト性/ 第８章　回路シミュレーション

【著者紹介】
ニール・H.E.ウェスト : マクオーリー大学およびアデレード大学兼任教授。小規模の研究開発会社も経営。アデレード大学大学院修了。Ｐｈ．Ｄ．ベル研究所、デューク大学、ノースカロライナ大学等をへて現職

デイヴィッド・マネー・ハリス : ハーベイマッド大学准教授。スタンフォード大学大学院修了。Ｐｈ．Ｄ．サン・マイクロシステムズ、インテル、ヒューレット・パッカード等をへて現職

宇佐美公良 : 芝浦工業大学工学部情報工学科教授。早稲田大学大学院理工学研究科修了。博士（工学）

池田誠 : 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授。東京大学大学院工学系研究科修了。博士（工学）

小林和淑 : 京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科電子システム工学専攻教授。京都大学大学院工学研究科修了。博士（工学）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）