Sicの製造・加工技術-結晶成長・加工プロセス技術と各種課題への対応-

"●発 刊 : 2025年12月9日
●体 裁 : B5判　503ページ
●定 価 : 74,800円 (税込(消費税10％））
●執筆者 : 44名

★SiCウェハ・SiCデバイスの低コスト量産化に向けた大口径化・高品質化等の各種対応や取り組みを詳述！

■目次（抜粋）

第1章　SiC 材料の種類・基本構造とその物性・特徴など
　第1節　各種SiC の構造および特徴・物性
　第2節　SiC とその他次世代パワー半導体材料との比較

第2章　SiC ウェハの結晶成長
　第1節　SiC 単結晶成長の基礎理論
　第2節　SiC 結晶成長技術
　第3節　SiC の結晶欠陥
　第4節　結晶成長プロセスにおける高品質化・欠陥低減技術
　第5節　SiC 結晶の測定評価・欠陥スクリーニング技術

第3章　SiC ウェハ製造のための加工プロセス
　第1節　SiC ウエハ加工プロセスの流れとそのポイント
　第2節　各工程にかかわる装置・部材技術
　第3節　加工面の分析・評価技術
　第4節　SiC 加工に関する塑性変形と破壊挙動の数値シミュレーション

第4章　SiC 半導体デバイス加工に向けた関連技術・部材
　第1節　イオン注入・アニール処理
　第2節　 SiC 基板のエッチング
　　　　　〜 RF マグネトロンプラズマを用いた大面積均一エッチング技術〜
　第3節　SiC ウェハの個片化技術およびスクライブ& ブレイク法
　第4節　SiC の接着・接合技術
　第5節　SiC 薄膜コーティング技術

第5章　SiC パワーデバイスの品質・信頼性と性能向上
　第1節　SiC パワーSBD
　第2節　SiC パワーMOSFET の種類および構造・特性と組立・プロセス技術
　第3節　界面の測定評価法
　第4節　SiC パワー半導体の品質および劣化評価
　第5節　SiC パワーデバイスの回路設計・シミュレーション

第6章　SiC 量産・普及拡大に向けた動向・各種取り組み
　第1節　SiC ウエハ市場・価格動向と今後の見通し
　第2節　市場・技術開発動向（国内外）、アプリケーションごとのトレンド
　第3節　SiC ウェハ製造・加工における技術課題への対応・今後"