Lsiの信頼性

目次 : 第１章　ＬＳＩ信頼性保証概論/ 第２章　トランジスタ系の信頼性/ 第３章　ＬＳＩ配線の信頼性/ 第４章　静電気破壊現象/ 第５章　故障解析/ 第６章　寿命データ解析

【著者紹介】
二川清 : １９４９年大阪市生まれ。大阪大学大学院基礎工学研究科修士課程修了。工学博士。１９７４年‐２００９年、日本電気（株）他にて半導体の信頼性・故障解析技術の研究開発と実務に従事。現在、大阪大学大学院情報科学研究科特任教授、金沢工業大学大学院工学研究科客員教授、芝浦工業大学工学部非常勤講師

塩野登 : １９４７年生まれ。東北大学大学院工学研究科修士課程修了、工学博士。ＮＴＴ　ＬＳＩ研究所を経て、現在、（財）日本電子部品信頼性センター理事、日本大学大学院理工学研究科電子工学専攻非常勤講師

横川慎二 : １９７０年生まれ。電気通信大学大学院修士課程修了。博士（工学）。現在、ルネサスエレクトロニクス（株）、デバイス・解析技術統括部先端デバイス開発第二部チームマネージャー。日本信頼性学会２００３年高木賞、ＩＥＥＥ　Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ｊａｐａｎ　Ｃｈａｐｔｅｒ　Ａｗａｒｄｓ　２００７年論文賞、日本信頼性学会第２２回秋季信頼性シンポジウム優秀賞など

福田保裕 : １９５３年大阪市生まれ。１９７７年、名古屋工業大学電気工学科卒業、沖電気工業（株）入社、半導体事業部生産技術、メモリ設計、信頼性技術を経て、研究本部プロセス研究部長。２００５年、沖エンジニアリング（株）へ信頼性設計事業部長として転籍。２０１０年サムスン電子ＬＣＤ事業部へ入社。主な静電気破壊研究活動は、１９８３年半導体デバイスの静電気破壊、パッケージ帯電モデル、試験方法の提案

三井泰裕 : １９４４年生まれ。山梨大学大学院工学研究科修士課程修了。工学博士。（株）日立製作所中央研究所、同半導体事業部、（株）日立ハイテクノロジーズにて計測技術研究開発に従事後、現在、半導体デバイス解析コンサルタント。日刊工業新聞十大新製品賞（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）