化合物半導体のエピタキシャル成長 多様な成長技術とその応用

化合物半導体のエピタキシャル成長技術に要求される性能は時代にかかわらず高い結晶品質，高い膜厚制御性，低い製造コスト，そして量産性である．本書は様々なエピタキシャル成長技術に直接触れ，長年研究してきた著者がその知見をまとめたものである．

【目次】
第1章　半導体の種類と特徴
1.1　はじめに
1.2　IV族半導体
1.3　III-V族化合物半導体
1.4　その他の化合物半導体

第2章　化合物半導体エピタキシャル成長の概要
2.1　はじめに
2.2　液相エピタキシャル成長法(LPE)
2.3　気相エピタキシャル成長法(Cl-VPE，H-VPE)
2.4　有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)
2.5　分子線エピタキシャル成長法(MBE)

第3章　液相エピタキシャル成長法(LPE)とその応用
3.1　はじめに
3.2　AlGaAs/GaAsのLPE成長
3.3　InGaAsP/InPのLPE成長
3.4　InGaAsSb/AlGaAsSbのLPE成長
3.5　InAsPSb/InAsのLPE成長
3.6　IV-VI族化合物半導体のLPE成長

第4章　有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE)とその応用
4.1　はじめに
4.2　MOVPEにおける有機金属材料
4.3　三元混晶InAsSbおよびInPSbのMOVPE成長
4.4　InAs1-x-yPxSbyのMOVPE成長

第5章　分子線エピタキシャル成長法(MBE)とその応用
5.1　はじめに
5.2　MBE成長に用いられる装置
5.3　MBE成長における成長プロセス評価技術
5.4　MBE成長結晶の高電子移動度材料への応用

第6章　MOVPEにおける流量変調エピタキシー(FME)
6.1　はじめに
6.2　流量変調エピタキシー(FME)
6.3　流量変調エピタキシー(FME)と原子層エピタキシー(ALE)

第7章　MBEにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー(MEE)
7.1　はじめに
7.2　MEE成長の原理
7.3　MEEによるGaAs の成長
7.4　MEEの異なる原子価材料間のヘテロ接合，超格子成長への応用

第8章　選択エピタキシャル成長法(SAE)
8.1　はじめに
8.2　FMEを用いたSAE
8.3　MEEを用いたSAE

第9章　エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ(LD)への応用
9.1　はじめに
9.2　化合物半導体におけるレーザ発振の波長範囲
9.3　いろいろな波長のLDの発振特性
9.4　AlGaAs/GaAs LDの加速寿命試験
9.5　AlGaAs/GaAs LDとInP/InGaAsP LDの加速寿命試験の比較

【著者紹介】
堀越佳治 : 東北大学工学部電気工学科卒、同大大学院工学研究科電子工学専攻修士課程、博士課程修了。工学博士。ＮＴＴ基礎研究所研究員、ドイツ・マックスプランク固体研究所研究員、北海道大学客員教授、東北大学客員教授を経て、早稲田大学理工学部教授。早稲田大学名誉教授

河原塚篤 : 早稲田大学理工学部電気・情報生命工学科卒、同大大学院工学研究科修士課程、博士課程修了。博士（工学）。ドイツ・ポール・ドゥルーデ固体研究所博士研究員、早稲田大学高等研究所講師、准教授、早稲田大学各務記念材料技術研究所主任研究員（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）