傅田精一

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半導体の高次元化技術 貫通電極による3d / 2.5d / 2.1d実装

傅田精一

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Product Details

Genre
：
Architecture&Engineering
ISBN/Catalogue Number
：
ISBN 13 : 9784501330903
ISBN 10 : 4501330902
Format
：
Books
Publisher
：
東京電機大学出版局
Release Date
：
April/2015
Release Country
：
Japan
Co-Writer, Translator, Featured Individuals/organizations
:
伝田精一, 傳田精一 ,  

Content Description

目次 : 第１章　ＴＳＶ技術の開発/ 第２章　ＴＳＶの作成プロセス/ 第３章　ＴＳＶチップの３Ｄ積層技術/ 第４章　ＴＳＶを使ったワイドＩＯメモリシステム/ 第５章　２．５Ｄ　ＴＳＶチップ積層構造/ 第６章　ＴＳＶ‐３Ｄメモリシステムの開発/ 第７章　新インターポーザと２．１Ｄデバイス/ 第８章　３Ｄ用マイクロバンプ、チップフィル、実装材料/ 第９章　ＴＳＶ関連の技術開発

【著者紹介】
傳田精一 : 工学博士。信州大学工学部卒業。通産省電気試験所主任研究官、サンケン電気常務取締役、コニカ常務取締役、エレクトロニクス実装学会名誉顧問、長野県工科短大客員教授、長野実装フォーラム名誉理事（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

（「BOOK」データベースより）

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  • ひろき@巨人の肩

    読了日：2017/01/05

    最新の半導体実装プロセスの技術動向をTSVを中心に網羅した本。Via形成タイミングによるTSVプロセスの分類。3D/2.5D/2.1Dの定義とインターポーザー。技術アウトプットとしてのDRAMのワイドIOと対抗のDDR。先端実装の全体感は把握できたと思う。

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