半導体材料・デバイスの評価 パラメータ測定と解析評価の実際

目次 : 抵抗率/ キャリア密度とドーピング密度/ 接触抵抗とショットキー障壁/ 直列抵抗、チャネルの長さと幅、しきい値電圧/ 欠陥の密度と準位/ 酸化膜および界面にトラップされた電荷、酸化膜の厚さ/ キャリアの寿命/ 移動度/ 電荷のプローブ測定/ 光学的評価法〔ほか〕

【著者紹介】
ディーター・K.シュロゥダー : アリゾナ州立大学工学部電気工学科教授。博士はアリゾナ州立大学工学部の優秀教育賞の受賞者であり、その他数々の教育賞を受賞している。マクギル大学とイリノイ大学に学ぶ。１９６８年にウェスティングハウス研究所に入所。ＭＯＳデバイス、撮像素子、パワーデバイス、静磁波など半導体デバイスを多様な側面から研究。１９７８年ドイツの応用固体物理学研究所に滞在。１９８１年にアリゾナ州立大学固体電子工学センターへ移籍。最近のテーマは、半導体材料およびデバイス、評価技術、低消費電力電子工学、および半導体中の欠陥

嶋田恭博 : １９８２年、電気通信大学物理工学科卒業。同年松下電器産業（株）入社。リソグラフィ用エキシマレーザーの開発、強誘電体メモリ、機能薄膜材料、イメージセンサの開発に従事。工学博士（２００３年、京都大学）。応用物理学会会員。現在パナソニック（株）エコソリューションズ社勤務（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

ディーター・K.シュロゥダー

アリゾナ州立大学工学部電気工学科教授。博士はアリゾナ州立大学工学部の優秀教育賞の受賞者であり、その他数々の教育賞を受賞している。マクギル大学とイリノイ大学に学ぶ。１９６８年にウェスティングハウス研究所に入所。ＭＯＳデバイス、撮像素子、パワーデバイス、静磁波など半導体デバイスを多様な側面から研究。１９

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