MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術

設計、製造、信頼性ＭＯＳに必要な三つの技術を詳しく解説。ＦＤＭを活用する半導体に係わる全ての人に！第一線技術者の声も多く取り入れた、実用的な一冊。

目次 : 第１章　集積回路の現状と課題（半導体市場と技術動向/ 設計と信頼性技術の現状　ほか）/ 第２章　集積回路の基礎（半導体の種類/ Ｓｉ半導体　ほか）/ 第３章　ＭＯＳ集積回路の構成と設計技術（ディジタル回路/ アナログ回路　ほか）/ 第４章　ＭＯＳ集積回路の製造技術（製造環境/ 洗浄技術　ほか）/ 第５章　ＭＯＳ集積回路の信頼性技術（半導体デバイスの信頼性/ 半導体デバイスの信頼性評価　ほか）

【著者紹介】
大山英典 : １９８２年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９１年熊本電波高専助教授、工学博士。１９９２年文部科学省（旧文部省）長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。１９９３年ＩＭＥＣ客員研究員。２０００年熊本電波高専教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構

中林正和 : １９８０年大阪府立大学修士課程修了。１９８０年三菱電機（株）入社。２００２年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士（工学）。２００３年（株）ルネサステクノロジ。専門分野は半導体の信頼性、パワーデバイスのライフタイム制御

葉山清輝 : １９９１年豊橋技術科学大学修士課程修了。１９９２年豊橋技術科学大学技術開発センター助手。１９９７年博士（工学）。２０００年熊本電波高専助教授。２００３年文部科学省長期在外研究員（ＩＭＥＣ、ベルギー）。２００７年熊本電波高専准教授。専門分野は半導体デバイスの放射線損傷機構

江口啓 : １９９９年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士（工学）。１９９９年熊本電波高専講師。２００１年熊本電波高専助教授。２００６年静岡大学助教授。２００７年静岡大学准教授。専門分野は回路システム（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）