Ulsiデバイス・プロセス技術 新版

目次 : 第１章　序論/ 第２章　バイポーラトランジスタの動作機構/ 第３章　ＭＯＳトランジスタの動作機構/ 第４章　ＵＬＳＩデバイス構造/ 第５章　微細加工技術/ 第６章　材料プロセス技術/ 第７章　信頼性と検査技術/ 第８章　ＵＬＳＩの新展開

【著者紹介】
菅野卓雄 : 昭３４東大大学院数物電気了、工博。同年、東大・工・電気・講師（専任）、昭３５同大学・電子・助教授、昭４１同教授、平３工学部長、平４東大名誉教授、東洋大教授、平６東洋大学長、平１２同大学理事長、平１８東洋大名誉教授、この間固体電子工学の研究、教育に従事。平７紫綬褒章、平１８瑞寶重光章、平２３文化功労者、昭４９本会業績賞、平４本会功績賞、ＩＥＥＥ　Ｊａｃｋ　Ａ．Ｍｏｒｔｏｎ　Ａｗａｒｄ、平７ＩＥＥＥ　Ｌｉｆｅ　Ｆｅｌｌｏｗ、平１３ＮＥＣ　Ｃ＆Ｃ賞、平１７応用物理学会業績賞、平１９国立交通大学（台湾）栄誉教授、平２０国立成功大学（台湾）栄誉教授、平２１科学専業奨章（台湾）

伊藤隆司 : 昭４４東工大・理工・電子卒、昭４９同大学院博士了、工博。同年、富士通株式会社入社、（株）富士通研究所半導体研究部長、シリコンテクノロジ研究所長を経て、平１５富士通株式会社技師長兼あきる野テクノロジセンタ長、兼産総研先端ＳｏＣ連携研究体長。平１６東北大大学院工学研究科教授、平２２定年退職。東工大特任教授を経て、広島大客員教授。本会、ＩＥＥＥ、ＪＳＡＰ各フェロー。大河内賞、オーム賞、山崎貞一賞、渡辺賞、手島賞、文科大臣表彰科学技術賞、ＳＳＤＭ　Ａｗａｒｄ等を各受賞（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）