基礎から学ぶ半導体電子デバイス

「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。

目次 : 半導体の基礎/ 半導体中のキャリア密度/ 半導体中のキャリア輸送現象/ ｐｎ接合ダイオード/ 金属と半導体の接合による整流特性/ バイポーラトランジスタ/ 接合型電界効果トランジスタ/ ＭＯＳダイオード/ ＭＯＳＦＥＴ/ ＭＯＳ集積回路/ ＭＥＳＦＥＴ/ 付録Ａ　エネルギーバンド構造について/ 付録Ｂ　状態密度の計算方法/ 付録Ｃ　有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体/ 付録Ｄ　価電子帯のエネルギーと正孔の概念/ 付録Ｅ　ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子/ 付録Ｆ　ショットキー接合の電流‐電圧特性/ 付録Ｇ　バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足

【著者紹介】
大谷直毅 : １９９４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年同志社大学工学部助教授。２０１１年同志社大学理工学部教授。専門：半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

大谷直毅

１９９４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年同志社大学工学部助教授。２０１１年同志社大学理工学部教授。専門：半導

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