基本情報
内容詳細
水銀整流器からIGBTへの進化と日本製のパワー半導体が強い理由。SiCとGaNなど最新情報満載!
目次 : パワー半導体の全貌を俯瞰する/ パワー半導体の基本と動作/ 各種パワー半導体動作と役割/ パワー半導体の用途と市場/ パワー半導体の分類/ パワー半導体用シリコンウェーハ/ パワー半導体プロセスの特徴/ パワー半導体メーカの紹介/ シリコンパワー半導体の発展/ シリコンの限界に挑むSiCとGaN/ パワー半導体が拓く脱炭素時代
【著者紹介】
佐藤淳一 : 京都大学大学院工学研究科修士課程修了。1978年、東京電気化学工業(株)(現TDK)入社。1982年、ソニー(株)入社。一貫して、半導体や薄膜デバイス・プロセスの研究開発に従事。この間、半導体先端テクノロジーズ(セリート)創立時に出向、長崎大学工学部非常勤講師などを経験。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
(「BOOK」データベースより)
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Go Extreme さん
読了日:2022/06/29
R さん
読了日:2023/02/11
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